Zaima, Shigeaki: шукати на сайті Z-Library

Kidowaki, Shohei, Asano, Takanori, Shimura, Yosuke, Kurosawa, Masashi, Taoka, Noriyuki, Nakatsuka, Osamu, Zaima, Shigeaki

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.27 MB

english, 2014

Defect and dislocation structures in low-temperature-grown Ge and Ge1−xSnx epitaxial layers on Si(110) substrates

Журнал:

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.54 MB

english, 2016

Novel method to introduce uniaxial tensile strain in Ge by microfabrication of Ge/Si1−xGex structures on Si(0 0 1) substrates

Takuya Mizutani, Osamu Nakatsuka, Akira Sakai, Hiroki Kondo, Masaki Ogawa, Shigeaki Zaima

Журнал:

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 687 KB

english, 2009

Control of interfacial properties of Pr-oxide/Ge gate stack structure by introduction of nitrogen

Kimihiko Kato, Hiroki Kondo, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

Журнал:

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 734 KB

english, 2011

Control of strain relaxation behavior of Ge1−xSnx buffer layers

Yosuke Shimura, Shotaro Takeuchi, Osamu Nakatsuka, Akira Sakai, Shigeaki Zaima

Журнал:

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.21 MB

english, 2011

Silicide and germanide technology for contacts and gates in MOSFET applications

Shigeaki Zaima, Osamu Nakatsuka, Hiroki Kondo, Mitsuo Sakashita, Akira Sakai, Masaki Ogawa

Журнал:

Рік:

2008

Мова:

english

Файл:

PDF, 380 KB

english, 2008

Low temperature growth of Ge1 − xSnx buffer layers for tensile–strained Ge layers

Yosuke Shimura, Norimasa Tsutsui, Osamu Nakatsuka, Akira Sakai, Shigeaki Zaima

Журнал:

Kimihiko Kato, Hiroki Kondo, Mitsuo Sakashita, Shigeaki Zaima

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 488 KB

english, 2010

Formation processes of Ge3N4 films by radical nitridation and their electrical properties

Журнал:

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 802 KB

english, 2010

X-ray photoelectron spectroscopy for analysis of plasma–polymer interactions in Ar plasmas sustained via RF inductive coupling with low-inductance antenna units

Yuichi Setsuhara, Ken Cho, Masaharu Shiratani, Makoto Sekine, Masaru Hori, Eiji Ikenaga, Shigeaki Zaima

Журнал:

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 834 KB

english, 2010

Low-damage surface modification of polymethylmethacrylate with argon–oxygen mixture plasmas driven by multiple low-inductance antenna units

Yuichi Setsuhara, Ken Cho, Kosuke Takenaka, Masaharu Shiratani, Makoto Sekine, Masaru Hori, Eiji Ikenaga, Shigeaki Zaima

Журнал:

Kyoichi Kinoshita, Osamu Nakatsuka, Shinichi Yoda, Shigeaki Zaima

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 562 KB

english, 2010

Homogeneous Si0.5Ge0.5 bulk crystal growth as substrates for strained Ge thin films by the traveling liquidus-zone method

Журнал:

Shigehisa Shibayama, Kimihiko Kato, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 871 KB

english, 2012

Improvement of Al2O3/Ge interfacial properties by O2-annealing

Журнал:

Osamu Nakatsuka, Kenta Mochizuki, Yosuke Shimura, Takashi Yamaha, Shigeaki Zaima

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 834 KB

english, 2012

Low temperature formation of Si1 − x − yGexSny-on-insulator structures by using solid-phase mixing of Ge1 − zSnz/Si-on-insulator substrates

Журнал:

Marika Nakamura, Yosuke Shimura, Shotaro Takeuchi, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.05 MB

english, 2012

Growth of Ge1 − xSnx heteroepitaxial layers with very high Sn contents on InP(001) substrates

Журнал:

Asano, Takanori, Kidowaki, Shohei, Kurosawa, Masashi, Taoka, Noriyuki, Nakatsuka, Osamu, Zaima, Shigeaki

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 807 KB

english, 2012

Influence of Ge substrate orientation on crystalline structures of Ge1−xSnx epitaxial layers

Журнал:

Kato, Kimihiko, Sakashita, Mitsuo, Takeuchi, Wakana, Taoka, Noriyuki, Nakatsuka, Osamu, Zaima, Shigeaki

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 684 KB

english, 2014

Importance of control of oxidant partial pressure on structural and electrical properties of Pr-oxide films

Журнал:

Shibayama, Shigehisa, Kato, Kimihiko, Sakashita, Mitsuo, Takeuchi, Wakana, Taoka, Noriyuki, Nakatsuka, Osamu, Zaima, Shigeaki

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 963 KB

english, 2014

Impacts of AlGeO formation by post thermal oxidation of Al2O3/Ge structure on interfacial properties

Журнал:

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.18 MB

english, 2014

Analysis for positions of Sn atoms in epitaxial Ge1−xSnx film in low temperature depositions

Kamiyama, Eiji, Sueoka, Koji, Nakatsuka, Osamu, Taoka, Noriyuki, Zaima, Shigeaki, Izunome, Koji, Kashima, Kazuhiko

Журнал:

Yamaha, Takashi, Nakatsuka, Osamu, Taoka, Noriyuki, Kinoshita, Kyoichi, Yoda, Shinichi, Zaima, Shigeaki

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 488 KB

english, 2014

Characterization of crystalline structures of SiGe substrate formed by traveling liquidus-zone method for devices with Ge/SiGe structures

Журнал:

Asano, Takanori, Shimura, Yosuke, Nakatsuka, Osamu, Zaima, Shigeaki

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.71 MB

english, 2014

Influence of Sn incorporation and growth temperature on crystallinity of Ge1−xSnx layers heteroepitaxially grown on Ge(110) substrates

Журнал:

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.10 MB

english, 2013

Formation and characterization of locally strained Ge1−xSnx/Ge microstructures

Ike, Shinichi, Moriyama, Yoshihiko, Kurosawa, Masashi, Taoka, Noriyuki, Nakatsuka, Osamu, Imai, Yasuhiko, Kimura, Shigeru, Tezuka, Tsutomu, Zaima, Shigeaki

Журнал:

Kato, Kimihiko, Saito, Takatoshi, Shibayama, Shigehisa, Sakashita, Mitsuo, Takeuchi, Wakana, Taoka, Noriyuki, Nakatsuka, Osamu, Zaima, Shigeaki

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.75 MB

english, 2014

Stabilized formation of tetragonal ZrO2 thin film with high permittivity

Журнал:

Nakatsuka, Osamu, Zaima, Shigeaki, Sakai, Akira, Ogawa, Masaki

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 929 KB

english, 2014

[IEEE 2006 14th International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors - Kyoto (2006.10.10-2006.10.13)] 2006 14th IEEE International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors - Ni-Silicide/Si and SiGe(C) Contact Technology for ULSI Applications

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.22 MB

english, 2006

[IEEE 2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology Proceedings - Shanghai, China (2006.10.23-2006.10.26)] 2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology Proceedings - Ni silicide and germanide technology for contacts and metal gates in MOSFET applications

Zaima, Shigeaki, Nakatsuka, Osamu, Kondo, Hiroki, Sakashita, Mitsuo, Sakai, Akira, Ogawa, Masaki

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 620 KB

english, 2006

Near-infrared light absorption by polycrystalline SiSn alloys grown on insulating layers

Kurosawa, Masashi, Kato, Motohiro, Yamaha, Takashi, Taoka, Noriyuki, Nakatsuka, Osamu, Zaima, Shigeaki

Журнал:

Applied Physics Letters

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.25 MB

english, 2015

Growth and applications of GeSn-related group-IV semiconductor materials

Zaima, Shigeaki, Nakatsuka, Osamu, Taoka, Noriyuki, Kurosawa, Masashi, Takeuchi, Wakana, Sakashita, Mitsuo

Журнал:

Science and Technology of Advanced Materials

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 3.35 MB

english, 2015

Effects of Nitrogen Addition to Microwave Oxygen Plasma in Surface Wave with Disk-Plate Window and Photoresist Ashing

Shinagawa, Keisuke, Yamamoto, Jin, Ohgawara, Shoji, Zaima, Shigeaki, Furukawa, Masakazu

Журнал:

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 437 KB

english, 2004

Influence of Structural Variation of Ni Silicide Thin Films on Electrical Property for Contact Materials

Okubo, Kazuya, Tsuchiya, Yoshinori, Nakatsuka, Osamu, Sakai, Akira, Zaima, Shigeaki, Yasuda, Yukio

Журнал:

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 405 KB

english, 2004

Atom probe tomography study on Ge1−x−ySnxCy hetero-epitaxial film on Ge substrates

Kamiyama, Eiji, Sueoka, Koji, Terasawa, Kengo, Yamaha, Takashi, Nakatsuka, Osamu, Zaima, Shigeaki, Izunome, Koji, Kashima, Kazuhiko, Uchida, Hiroshi

Журнал:

Jeon, Jihee, Suzuki, Akihiro, Takahashi, Kouta, Nakatsuka, Osamu, Zaima, Shigeaki

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.78 MB

english, 2015

Growth and electrical properties of in situ Sb-doped Ge 1− x Sn x epitaxial layers for source/drain stressor of strained-Ge transistors

Журнал:

Doi, Takuma, Takeuchi, Wakana, Shibayama, Shigehisa, Sakashita, Mitsuo, Taoka, Noriyuki, Nakatsuka, Osamu, Zaima, Shigeaki

Рік:

2018

Файл:

PDF, 2.25 MB

2018

Erratum: “Effect of carbon in Si oxide interlayers of the Al 2 O 3 /4H-SiC structure on interfacial reaction by oxygen radical treatment” [Jpn. J. Appl. Phys. 58 SBBD05 (2019)]

Журнал:

Electronics and Communications in Japan (Part II: Electronics))

Рік:

2019

Файл:

PDF, 148 KB

2019

Realizing high thermoelectric performance in p-type Si 1-x-y Ge x Sn y thin films at ambient temperature by Sn modulation doping

Peng, Ying, Lai, Huajun, Liu, Chengyan, Gao, Jie, Kurosawa, Masashi, Nakatsuka, Osamu, Takeuchi, Tsunehiro, Zaima, Shigeaki, Tanemura, Sakae, Miao, Lei

Журнал:

Applied Physics Letters

Рік:

2020

Файл:

PDF, 1.91 MB

2020

Analysis of stressed-gate SiO2 films with electron injection by conductive atomic force microscopy

Akiyoshi Seko, Yukihiko Watanabe, Hiroki Kondo, Akira Sakai, Shigeaki Zaima, Yukio Yasuda

Журнал:

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.13 MB

english, 2005

Studies on the suppression of Ge segregation during Si overgrowth on Ge(n ML)Si(100) substrates by gas-source MBE

Shigeaki Zaima, Yukio Yasuda

Журнал:

Journal of Crystal Growth

Рік:

1996

Мова:

english

Файл:

PDF, 575 KB

english, 1996

Initial oxidation of Si(311) surfaces studied by high-resolution electron energy loss spectroscopy

Hiroya Ikeda, Tohru Yamada, Koji Hotta, Shigeaki Zaima, Yukio Yasuda

Журнал:

Рік:

1996

Мова:

english

Файл:

PDF, 384 KB

english, 1996

Dislocation structures and strain-relaxation in SiGe buffer layers on Si (0 0 1) substrates with an ultra-thin Ge interlayer

Takeo Yamamoto, Akira Sakai, Tomohiro Egawa, Noriyuki Taoka, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima, Yukio Yasuda

Журнал:

Materials Science in Semiconductor Processing

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 378 KB

english, 2004

Growth and characterization of strain-relaxed SiGe buffer layers on Si(0 0 1) substrates with pure-edge misfit dislocations

Noriyuki Taoka, Akira Sakai, Tomohiro Egawa, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima, Yukio Yasuda

Журнал:

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 318 KB

english, 2005

Interfacial reaction and electrical properties in Ni/Si and Ni/SiGe(C) contacts

Shigeaki Zaima, Osamu Nakatsuka, Akira Sakai, Junichi Murota, Yukio Yasuda

Журнал:

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 317 KB

english, 2004

Influence of C incorporation on the initial growth of epitaxial NiSi2 on Si(1 0 0)

Emi Okada, Osamu Nakatsuka, Satoshi Oida, Akira Sakai, Shigeaki Zaima, Yukio Yasuda

Журнал:

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 286 KB

english, 2004

Effect of alcohol sources on synthesis of single-walled carbon nanotubes

Satoshi Oida, Akira Sakai, Osamu Nakatsuka, Masaki Ogawa, Shigeaki Zaima

Журнал:

Рік:

2008

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.40 MB

english, 2008

Scanning tunneling microscopy observation of initial growth of Sn and Ge1−xSnx layers on Ge(0 0 1) substrates

Masahiro Yamazaki, Shotaro Takeuchi, Osamu Nakatsuka, Akira Sakai, Masaki Ogawa, Shigeaki Zaima

Журнал:

Journal of Crystal Growth

Рік:

2008

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.22 MB

english, 2008

Epitaxial growth of (1 1 1)ZrN thin films on (1 1 1)Si substrate by reactive sputtering and their surface morphologies

Hideto Yanagisawa, Satoko Shinkai, Katsutaka Sasaki, Junpei Sakurai, Yoshio Abe, Akira Sakai, Shigeaki Zaima

Журнал:

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 737 KB

english, 2006

Electrical properties of epitaxial NiSi2/Si contacts with extremely flat interface formed in Ni/Ti/Si(0 0 1) system

Osamu Nakatsuka, Atsushi Suzuki, Akira Sakai, Masaki Ogawa, Shigeaki Zaima

Журнал:

Microelectronic Engineering

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 427 KB

english, 2006

Crystalline orientation dependence of electrical properties of Mn Germanide/Ge(1 1 1) and (0 0 1) Schottky contacts

Tsuyoshi Nishimura, Osamu Nakatsuka, Shingo Akimoto, Wakana Takeuchi, Shigeaki Zaima

Журнал:

Microelectronic Engineering

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 771 KB

english, 2011

Initial growth behaviors of SiGeC in SiGe and C alternate deposition

Shotaro Takeuchi, Osamu Nakatsuka, Yasunobu Wakazono, Akira Sakai, Shigeaki Zaima, Yukio Yasuda

Журнал:

Materials Science in Semiconductor Processing

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 589 KB

english, 2005

Formation of Ni(Ge1−xSnx) layers with solid-phase reaction in Ni/Ge1−xSnx/Ge systems

Tsuyoshi Nishimura, Osamu Nakatsuka, Yosuke Shimura, Shotaro Takeuchi, Benjamin Vincent, Andre Vantomme, Johan Dekoster, Matty Caymax, Roger Loo, Shigeaki Zaima

Журнал:

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.19 MB

english, 2011

High-density formation of Ge quantum dots on SiO2

Katsunori Makihara, Mitsuhisa Ikeda, Akio Ohta, Shotaro Takeuchi, Yosuke Shimura, Shigeaki Zaima, Seiichi Miyazaki

Журнал:

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 766 KB

english, 2011

Local strain in SiGe/Si heterostructures analyzed by X-ray microdiffraction

Shogo Mochizuki, Akira Sakai, Noriyuki Taoka, Osamu Nakatsuka, Shingo Takeda, Shigeru Kimura, Masaki Ogawa, Shigeaki Zaima

Журнал:

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 577 KB

english, 2006

Control of misfit dislocations in strain-relaxed SiGe buffer layers on SOI substrates

Noriyuki Taoka, Akira Sakai, Shogo Mochizuki, Osamu Nakatsuka, Masaki Ogawa, Shigeaki Zaima

Журнал:

Junichi Murota, Shigeaki Zaima, Masanobu Miyao

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 381 KB

english, 2006

Preface

Журнал: